បានភ្ជាប់ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលខុស ផ្សែងសៀគ្វីវិជ្ជមាន និងអវិជ្ជមាន តើធ្វើដូចម្តេចដើម្បីជៀសវាងការអាម៉ាស់នេះ?

គម្រោងជាច្រើនរបស់វិស្វករផ្នែករឹងត្រូវបានបញ្ចប់នៅលើក្តាររន្ធ ប៉ុន្តែមានបាតុភូតនៃការតភ្ជាប់ដោយចៃដន្យនូវស្ថានីយវិជ្ជមាន និងអវិជ្ជមាននៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល ដែលនាំឱ្យសមាសធាតុអេឡិចត្រូនិចជាច្រើនឆេះ ហើយសូម្បីតែបន្ទះទាំងមូលក៏ត្រូវបំផ្លាញដែរ ហើយវាត្រូវតែ ត្រូវបាន welded ម្តងទៀតខ្ញុំមិនដឹងថាវិធីល្អដើម្បីដោះស្រាយវា?

ជាដំបូង ការធ្វេសប្រហែសគឺជៀសមិនរួចទេ ទោះបីជាវាគ្រាន់តែដើម្បីសម្គាល់ខ្សែពីរវិជ្ជមាន និងអវិជ្ជមាន ក្រហម និងខ្មៅ អាចត្រូវបានខ្សែម្តង យើងនឹងមិនធ្វើខុស។ ការតភ្ជាប់ដប់នឹងមិនខុសទេប៉ុន្តែ 1,000? ចុះ ១០,០០០? នៅពេលនេះវាពិបាកនិយាយណាស់ ដោយសារតែការធ្វេសប្រហែសរបស់យើង នាំឱ្យគ្រឿងអេឡិចត្រូនិច និងបន្ទះសៀគ្វីមួយចំនួនឆេះអស់ មូលហេតុចម្បងគឺដោយសារចរន្តអគ្គីសនីច្រើនពេក សមាសធាតុឯកអគ្គរដ្ឋទូតត្រូវបានខូច ដូច្នេះយើងត្រូវចាត់វិធានការទប់ស្កាត់ការភ្ជាប់បញ្ច្រាស។ .

មានវិធីសាស្រ្តខាងក្រោមដែលប្រើជាទូទៅ៖

01 diode ស៊េរីប្រភេទសៀគ្វីការពារប្រឆាំងនឹងបញ្ច្រាស

ឌីយ៉ូតទៅមុខត្រូវបានភ្ជាប់ជាស៊េរីនៅការបញ្ចូលថាមពលវិជ្ជមាន ដើម្បីធ្វើការប្រើប្រាស់ពេញលេញនៃលក្ខណៈរបស់ឌីយ៉ូដនៃការបញ្ជូនបន្ត និងការកាត់បញ្ច្រាស។ នៅក្រោមកាលៈទេសៈធម្មតា បំពង់បន្ទាប់បន្សំដំណើរការ ហើយបន្ទះសៀគ្វីដំណើរការ។

នៅពេលដែលការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវបានបញ្ច្រាស់ diode ត្រូវបានកាត់ផ្តាច់ ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលមិនអាចបង្កើតរង្វិលជុំបានទេ ហើយបន្ទះសៀគ្វីមិនដំណើរការ ដែលអាចការពារបញ្ហានៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលបានយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាព។

02 Rectifier Bridge ប្រភេទសៀគ្វីការពារប្រឆាំងបញ្ច្រាស

ប្រើស្ពាន rectifier ដើម្បីផ្លាស់ប្តូរការបញ្ចូលថាមពលទៅជាធាតុបញ្ចូលដែលមិនមានប៉ូល ទោះបីជាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវបានភ្ជាប់ ឬបញ្ច្រាសក៏ដោយ បន្ទះដំណើរការជាធម្មតា។

ប្រសិនបើ diode ស៊ីលីកុនមានការធ្លាក់ចុះសម្ពាធប្រហែល 0.6 ~ 0.8V នោះ germanium diode ក៏មានការធ្លាក់ចុះសម្ពាធប្រហែល 0.2 ~ 0.4V ប្រសិនបើសម្ពាធធ្លាក់ចុះធំពេក បំពង់ MOS អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការព្យាបាលប្រឆាំងនឹងប្រតិកម្ម។ ការធ្លាក់ចុះសម្ពាធនៃបំពង់ MOS គឺតូចណាស់រហូតដល់ពីរបីមីល្លីម៉ែត្រ ហើយការធ្លាក់ចុះសម្ពាធគឺស្ទើរតែធ្វេសប្រហែស។

03 សៀគ្វីការពារប្រឆាំងនឹងការបញ្ច្រាសបំពង់ MOS

បំពង់ MOS ដោយសារតែការកែលម្អដំណើរការ លក្ខណៈសម្បត្តិរបស់វាផ្ទាល់ និងកត្តាផ្សេងទៀត ភាពធន់ខាងក្នុងរបស់វាតូច ជាច្រើនមានកម្រិត milliohm ឬសូម្បីតែតូចជាង ដូច្នេះតង់ស្យុងសៀគ្វី ការបាត់បង់ថាមពលដែលបណ្តាលមកពីសៀគ្វីគឺតូចជាពិសេស ឬសូម្បីតែមានការធ្វេសប្រហែស។ ដូច្នេះ ជ្រើសរើសបំពង់ MOS ដើម្បីការពារសៀគ្វី គឺជាវិធីដែលត្រូវបានណែនាំបន្ថែមទៀត។

1) ការការពារ NMOS 

ដូចដែលបានបង្ហាញខាងក្រោម៖ នៅពេលបើកថាមពល ឌីយ៉ូតប៉ារ៉ាស៊ីតនៃបំពង់ MOS ត្រូវបានបើក ហើយប្រព័ន្ធបង្កើតជារង្វិលជុំ។ សក្តានុពលនៃប្រភព S គឺប្រហែល 0.6V ខណៈពេលដែលសក្តានុពលនៃច្រកទ្វារ G គឺ Vbat ។ វ៉ុលបើកនៃបំពង់ MOS គឺខ្លាំង៖ Ugs = Vbat-Vs ច្រកទ្វារខ្ពស់ ds នៃ NMOS បើក ប៉ារ៉ាស៊ីត diode ត្រូវបានកាត់ខ្លី ហើយប្រព័ន្ធបង្កើតរង្វិលជុំតាមរយៈការចូល ds របស់ NMOS ។

ប្រសិនបើការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវបានបញ្ច្រាស វ៉ុលនៅលើ NMOS គឺ 0 NMOS ត្រូវបានកាត់ផ្តាច់ ប៉ារ៉ាស៊ីត diode ត្រូវបានបញ្ច្រាស់ ហើយសៀគ្វីត្រូវបានផ្តាច់ ដូច្នេះបង្កើតការការពារ។

2) ការការពារ PMOS

ដូចដែលបានបង្ហាញខាងក្រោម៖ នៅពេលបើកថាមពល ឌីយ៉ូតប៉ារ៉ាស៊ីតនៃបំពង់ MOS ត្រូវបានបើក ហើយប្រព័ន្ធបង្កើតជារង្វិលជុំ។ សក្តានុពលនៃប្រភព S គឺប្រហែល Vbat-0.6V ខណៈពេលដែលសក្តានុពលនៃច្រកទ្វារ G គឺ 0 ។ វ៉ុលបើកនៃបំពង់ MOS គឺខ្លាំងណាស់: Ugs = 0 – (Vbat-0.6) ច្រកទ្វារមានឥរិយាបទជាកម្រិតទាប។ , ds នៃ PMOS បើក, ប៉ារ៉ាស៊ីត diode ត្រូវបានសៀគ្វីខ្លី ហើយប្រព័ន្ធបង្កើតរង្វិលជុំតាមរយៈការចូល ds នៃ PMOS ។

ប្រសិនបើការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវបានបញ្ច្រាស វ៉ុលនៅលើ NMOS ធំជាង 0 PMOS ត្រូវបានកាត់ផ្តាច់ ប៉ារ៉ាស៊ីត diode ត្រូវបានបញ្ច្រាស់ ហើយសៀគ្វីត្រូវបានផ្តាច់ ដូច្នេះបង្កើតការការពារ។

ចំណាំ៖ ខ្សែ ds បំពង់ NMOS ទៅអេឡិចត្រូតអវិជ្ជមាន ខ្សែបំពង់ PMOS ds ទៅអេឡិចត្រូតវិជ្ជមាន និងទិសដៅប៉ារ៉ាស៊ីត diode គឺឆ្ពោះទៅរកទិសដៅបច្ចុប្បន្នដែលបានតភ្ជាប់ត្រឹមត្រូវ។

ការចូលដំណើរការនៃបង្គោល D និង S នៃបំពង់ MOS៖ ជាធម្មតានៅពេលដែលបំពង់ MOS ដែលមានឆានែល N ត្រូវបានប្រើ ជាទូទៅចរន្តចូលពីបង្គោល D ហើយហូរចេញពីបង្គោល S ហើយ PMOS ចូល និង D ចេញពី S បង្គោលហើយផ្ទុយមកវិញគឺជាការពិតនៅពេលអនុវត្តនៅក្នុងសៀគ្វីនេះលក្ខខណ្ឌវ៉ុលនៃបំពង់ MOS ត្រូវបានជួបតាមរយៈការដឹកនាំនៃ diode ប៉ារ៉ាស៊ីត។

បំពង់ MOS នឹងត្រូវបានបើកយ៉ាងពេញលេញដរាបណាវ៉ុលសមស្របមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងរវាងបង្គោល G និង S ។ បន្ទាប់ពីដំណើរការវាដូចជាកុងតាក់បិទនៅចន្លោះ D និង S ហើយចរន្តគឺដូចគ្នាពី D ទៅ S ឬ S ទៅ D ។

នៅក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង បង្គោល G ជាទូទៅត្រូវបានភ្ជាប់ជាមួយនឹងរេស៊ីស្តង់ ហើយដើម្បីការពារបំពង់ MOS ពីការខូចនោះ និយតករតង់ស្យុងក៏អាចត្រូវបានបន្ថែមផងដែរ។ capacitor ដែលភ្ជាប់ស្របទៅនឹងឧបករណ៍បែងចែកមានឥទ្ធិពលទន់។ នៅពេលនេះចរន្តចាប់ផ្តើមហូរ capacitor ត្រូវបានគិតថ្លៃហើយវ៉ុលនៃបង្គោល G ត្រូវបានបង្កើតឡើងបន្តិចម្តង ៗ ។

សម្រាប់ PMOS បើប្រៀបធៀបជាមួយ NOMS Vgs ត្រូវបានទាមទារឱ្យធំជាងវ៉ុលកម្រិត។ ដោយសារតែវ៉ុលបើកអាចជា 0 ភាពខុសគ្នានៃសម្ពាធរវាង DS មិនមានទំហំធំទេដែលជាគុណសម្បត្តិច្រើនជាង NMOS ។

04 ការការពារហ្វុយស៊ីប

ផលិតផលអេឡិចត្រូនិចទូទៅជាច្រើនអាចមើលឃើញបន្ទាប់ពីបើកផ្នែកផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដោយហ្វុយហ្ស៊ីបនៅក្នុងការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលត្រូវបានបញ្ច្រាស់មានសៀគ្វីខ្លីនៅក្នុងសៀគ្វីដោយសារតែចរន្តធំហើយបន្ទាប់មកហ្វុយហ្ស៊ីបត្រូវបានផ្លុំដើរតួក្នុងការការពារ សៀគ្វី ប៉ុន្តែវិធីនេះ ការជួសជុល និងការជំនួសគឺមានបញ្ហាជាង។