តាមទស្សនៈវិជ្ជាជីវៈ ដំណើរការផលិតបន្ទះឈីបមានភាពស្មុគស្មាញ និងធុញទ្រាន់បំផុត។ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយ ពីខ្សែសង្វាក់ឧស្សាហកម្មពេញលេញនៃ IC វាត្រូវបានបែងចែកជាចម្បងជាបួនផ្នែក៖ ការរចនា IC → ការផលិត IC → ការវេចខ្ចប់ → ការធ្វើតេស្ត។
ដំណើរការផលិតបន្ទះឈីប៖
1. ការរចនាបន្ទះឈីប
បន្ទះឈីបគឺជាផលិតផលដែលមានបរិមាណតូច ប៉ុន្តែមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។ដើម្បីបង្កើតបន្ទះឈីប ការរចនាគឺជាផ្នែកដំបូង។ការរចនាតម្រូវឱ្យមានជំនួយពីការរចនាបន្ទះឈីបនៃការរចនាបន្ទះឈីបដែលត្រូវការសម្រាប់ដំណើរការដោយមានជំនួយពីឧបករណ៍ EDA និងស្នូល IP មួយចំនួន។
ដំណើរការផលិតបន្ទះឈីប៖
1. ការរចនាបន្ទះឈីប
បន្ទះឈីបគឺជាផលិតផលដែលមានបរិមាណតូច ប៉ុន្តែមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់។ដើម្បីបង្កើតបន្ទះឈីប ការរចនាគឺជាផ្នែកដំបូង។ការរចនាតម្រូវឱ្យមានជំនួយពីការរចនាបន្ទះឈីបនៃការរចនាបន្ទះឈីបដែលត្រូវការសម្រាប់ដំណើរការដោយមានជំនួយពីឧបករណ៍ EDA និងស្នូល IP មួយចំនួន។
3. Silicon -lifting
បន្ទាប់ពីស៊ីលីកុនត្រូវបានបំបែកសម្ភារៈដែលនៅសល់ត្រូវបោះបង់ចោល។ស៊ីលីកុនសុទ្ធបន្ទាប់ពីជំហានជាច្រើនបានឈានដល់គុណភាពនៃការផលិត semiconductor ។នេះគឺជាអ្វីដែលគេហៅថាស៊ីលីកុនអេឡិចត្រូនិច។
4. ស៊ីលីកុន -casting ingots
បន្ទាប់ពីការបន្សុតស៊ីលីកុនគួរតែត្រូវបានបោះចូលទៅក្នុងធាតុស៊ីលីកុន។គ្រីស្តាល់តែមួយនៃស៊ីលីកូនអេឡិចត្រូនិកបន្ទាប់ពីត្រូវបានបោះចូលទៅក្នុងធាតុមានទម្ងន់ប្រហែល 100 គីឡូក្រាម ហើយភាពបរិសុទ្ធនៃស៊ីលីកូនឡើងដល់ 99.9999% ។
5. ដំណើរការឯកសារ
បន្ទាប់ពីស៊ីលីកុនត្រូវបានបោះរួច ស៊ីលីកុនទាំងមូលត្រូវតែកាត់ជាបំណែកៗ ដែលជាប្រភេទ wafer ដែលយើងជាទូទៅហៅថា wafer ដែលស្តើងណាស់។បនា្ទាប់មក wafer ត្រូវបានប៉ូលារហូតដល់ល្អឥតខ្ចោះហើយផ្ទៃគឺរលោងដូចកញ្ចក់។
អង្កត់ផ្ចិតនៃ wafers ស៊ីលីកូនគឺ 8 អ៊ីញ (200 មម) និង 12 អ៊ីញ (300 មម) នៅក្នុងអង្កត់ផ្ចិត។អង្កត់ផ្ចិតកាន់តែធំ តម្លៃនៃបន្ទះឈីបតែមួយកាន់តែទាប ប៉ុន្តែការលំបាកក្នុងដំណើរការកាន់តែខ្ពស់។
5. ដំណើរការឯកសារ
បន្ទាប់ពីស៊ីលីកុនត្រូវបានបោះរួច ស៊ីលីកុនទាំងមូលត្រូវតែកាត់ជាបំណែកៗ ដែលជាប្រភេទ wafer ដែលយើងជាទូទៅហៅថា wafer ដែលស្តើងណាស់។បនា្ទាប់មក wafer ត្រូវបានប៉ូលារហូតដល់ល្អឥតខ្ចោះហើយផ្ទៃគឺរលោងដូចកញ្ចក់។
អង្កត់ផ្ចិតនៃ wafers ស៊ីលីកូនគឺ 8 អ៊ីញ (200 មម) និង 12 អ៊ីញ (300 មម) នៅក្នុងអង្កត់ផ្ចិត។អង្កត់ផ្ចិតកាន់តែធំ តម្លៃនៃបន្ទះឈីបតែមួយកាន់តែទាប ប៉ុន្តែការលំបាកក្នុងដំណើរការកាន់តែខ្ពស់។
7. ពងក្រពើនិងការចាក់អ៊ីយ៉ុង
ជាដំបូង វាចាំបាច់ក្នុងការច្រេះស៊ីលីកុនអុកស៊ីត និងស៊ីលីកុននីត្រាតដែលលាតត្រដាងនៅខាងក្រៅឧបករណ៍ photoresist ហើយដាក់ស្រទាប់ស៊ីលីកុនដើម្បីជ្រាបចូលរវាងបំពង់គ្រីស្តាល់ ហើយបន្ទាប់មកប្រើបច្ចេកវិជ្ជាឆ្លាក់ដើម្បីបញ្ចោញស៊ីលីកុនខាងក្រោម។បន្ទាប់មកចាក់ boron ឬ phosphorus ចូលទៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធស៊ីលីកុន បន្ទាប់មកបំពេញទង់ដែងដើម្បីភ្ជាប់ជាមួយ transistor ផ្សេងទៀត ហើយបន្ទាប់មកអនុវត្តស្រទាប់កាវមួយទៀតនៅលើវាដើម្បីបង្កើតស្រទាប់នៃរចនាសម្ព័ន្ធ។ជាទូទៅ បន្ទះឈីបមួយមានស្រទាប់រាប់សិប ដូចជាផ្លូវហាយវេដែលជាប់គ្នាយ៉ាងក្រាស់។
7. ពងក្រពើនិងការចាក់អ៊ីយ៉ុង
ជាដំបូង វាចាំបាច់ក្នុងការច្រេះស៊ីលីកុនអុកស៊ីត និងស៊ីលីកុននីត្រាតដែលលាតត្រដាងនៅខាងក្រៅឧបករណ៍ photoresist ហើយដាក់ស្រទាប់ស៊ីលីកុនដើម្បីជ្រាបចូលរវាងបំពង់គ្រីស្តាល់ ហើយបន្ទាប់មកប្រើបច្ចេកវិជ្ជាឆ្លាក់ដើម្បីបញ្ចោញស៊ីលីកុនខាងក្រោម។បន្ទាប់មកចាក់ boron ឬ phosphorus ចូលទៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធស៊ីលីកុន បន្ទាប់មកបំពេញទង់ដែងដើម្បីភ្ជាប់ជាមួយ transistor ផ្សេងទៀត ហើយបន្ទាប់មកអនុវត្តស្រទាប់កាវមួយទៀតនៅលើវាដើម្បីបង្កើតស្រទាប់នៃរចនាសម្ព័ន្ធ។ជាទូទៅ បន្ទះឈីបមួយមានស្រទាប់រាប់សិប ដូចជាផ្លូវហាយវេដែលជាប់គ្នាយ៉ាងក្រាស់។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ កក្កដា-០៨-២០២៣